型号 SI2328DS-T1-E3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
SI2328DS-T1-E3 PDF
代理商 SI2328DS-T1-E3
产品目录绘图 SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 1.15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 250 毫欧 @ 1.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 4nC @ 10V
功率 - 最大 730mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装 SOT-23-3(TO-236)
包装 标准包装
产品目录页面 1661 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI2328DS-T1-E3DKR
同类型PDF
SI2328DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
SI2328DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
SI2328DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V SOT-23
SI2328DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V SOT-23
SI2328DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V SOT-23
SI2331DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V SOT23-3
SI2331DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V SOT23-3
SI2333CDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
SI2333CDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
SI2333CDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
SI2333CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 12V SOT-23
SI2333CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 12V SOT-23
SI2333CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 12V SOT-23
SI2333DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
SI2333DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
SI2333DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
SI2333DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V SOT23-3
SI2334DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V SOT-23
SI2334DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V SOT-23
SI2334DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V SOT-23